IGBT的結構和原理

IGBT本質上是一個場效應晶體管。在結構上，IGBT非常接近P功率MOSFET。在背面的漏電極上增加了一個P+層，我們稱之為注入層。上述功率MOSFET本質上是一種傳統的MOSFET。它仍然與單載波（多載波）導電，所以我們還沒有達到其最終性能。因此，一種新的結構被開發出來。除了MOSFET本身的電子之外，當功率MOSFET被開啟時，我們如何能將空穴注入漏極？因此，自然地，在泄漏端（名字的來源）引入P+注入層，并且從泄漏端添加P+/N-驅動P-N結，但是它是偏置的，所以它不影響傳導，但是增加了空穴注入效應，所以它的特性類似于BJT。有兩種載體參與傳導。所以最初的源頭變成了發射器，排水變成了收集器。

從上面的結構和右邊的等效電路圖可以看出，它有兩個等效的BJT背對背鏈路。它實際上是PNPN的晶閘管，不是我們故意制造的，而是由結構產生的。正如我在5個月前關于Latch-up的文章（http://ic-..cn/？P=511)，這種結構最致命的是鎖存?？刂奇i存的關鍵是控制Rs，只要它滿足α1+α2<1。

此外，這種結構的優點是提高電流驅動能力，但缺點是當器件關斷時，通道在沒有許多子電流的情況下被快速地切斷，但是仍然有一些子孔被注入到集電器(排水)端子，因此整個器件的電流需要緩慢地t甩掉（尾流），影響設備的關閉時間和工作頻率。這是開關器件的一大禁忌，因此在P+和N-驅動器之間引入N+緩沖層結構。該層的功能是使從收集器注入的孔在器件關斷時迅速終止于N+中。

結合緩沖層以提高開關頻率。我們稱這種結構為PT-IGBT（穿透型），而NPT-IGBT沒有N+緩沖區。

一般來說，NPT-IGBT比PT-IGBT的Vce(sat)高，主要是因為NPT是正溫度系數(P+襯底比空穴注入薄)，而PT是負溫度系數(因為P襯底較厚，所以晶體管的基極調制效應明顯)，Vce(sat)決定開關損耗，所以NPT必須如果需要相同的Vce(sat)，則增加DRI。FT厚度，所以Ron增加。