簡(jiǎn)單易懂的IGBT驅(qū)動(dòng)電路

 IGBT目前被廣泛使用的高功率開關(guān)，廣泛應(yīng)用于各行業(yè)的電子器件中。IGBT的工作狀態(tài)直接影響電子產(chǎn)品的性能，IGBT驅(qū)動(dòng)電路對(duì)整個(gè)系統(tǒng)顯得很重要，為避免IGBT發(fā)生常見的過流而使IGBT損壞問題，本文主要研究了IGBT的驅(qū)動(dòng)和短路保護(hù)問題，就其工作原理進(jìn)行分析，設(shè)計(jì)出具有過流保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路。
  
 IGBT驅(qū)動(dòng)電路圖如下:

 

 
  本IGBT驅(qū)動(dòng)電路具有的作用

  (1)該驅(qū)動(dòng)電路能夠?yàn)镮GBT提供+15v和-5V驅(qū)動(dòng)電壓確保IGBT的開通和關(guān)斷。
  (2)具有過流保護(hù)功能，當(dāng)過流時(shí)，保護(hù)電路起作用，及時(shí)的關(guān)斷IGBT，防止IGBT損壞。
  (3)本電路的可根據(jù)負(fù)載的需要?jiǎng)討B(tài)調(diào)節(jié)最大電流，可以有很廣的使用范圍。
  (4)本驅(qū)動(dòng)電路采用分立元件組成驅(qū)動(dòng)電路，降低整個(gè)系統(tǒng)的成本。
 
  IGBT驅(qū)動(dòng)電路功能詳解

  圖1中，高速光耦6N137實(shí)現(xiàn)輸入輸出信號(hào)的電氣隔離，能夠達(dá)到很好的電氣隔離，適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。驅(qū)動(dòng)主電路采用推挽輸出方式，有效地降低了驅(qū)動(dòng)電路的輸出阻抗，提高了驅(qū)動(dòng)能力，使之適合于大功率IGBT的驅(qū)動(dòng)，過流保護(hù)電路運(yùn)用退集電極飽和原理，在發(fā)生過流時(shí)及時(shí)的關(guān)斷IGBT，其中V1.V3.V4構(gòu)成驅(qū)動(dòng)脈沖放大電路。V1和R5構(gòu)成一個(gè)射極跟隨器，該射極跟隨器提供了一個(gè)快速的電流源，減少了功率管的開通和關(guān)斷時(shí)間。利用集電極退飽和原理，D1、R6、R7和V2構(gòu)成短路信號(hào)檢測(cè)電路.其中D1采用快速恢復(fù)二極管，為了防止IGBT關(guān)斷時(shí)其集電極上的高電壓竄入驅(qū)動(dòng)電路。為了防止靜電使功率器件誤導(dǎo)通，在柵源之間并接雙向穩(wěn)壓管D3和D4。如是IGBT的門極串聯(lián)電阻。
  正常工作時(shí):
  當(dāng)控制電路送來(lái)高電平信號(hào)時(shí)，光耦6N137導(dǎo)通，V1、V2截止，V3導(dǎo)通而V4截止，該驅(qū)動(dòng)電路向IBGT提供+15V的驅(qū)動(dòng)開啟電壓，使IGBT開通。

當(dāng)控制電路送來(lái)低電平信號(hào)時(shí)，光耦6N137截至，VI、V2導(dǎo)通。V4導(dǎo)通而v3截止，該驅(qū)動(dòng)電路向IBGT提供-5v的電壓，使IGBT關(guān)閉。
  當(dāng)過流時(shí):

  當(dāng)電路出現(xiàn)短路故障時(shí)，上、下橋直通此時(shí)+15V的電壓幾乎全加在IGBT上.產(chǎn)生很大的電流，此時(shí)在短路信號(hào)檢測(cè)電路中v2截止，A點(diǎn)的電位取決于D1、R6、R7和Vces的分壓決定，當(dāng)主電路正常工作時(shí)，且IGBT導(dǎo)通時(shí)，A點(diǎn)保持低電平，從而低于B點(diǎn)電位。所有A1輸出低電平，此時(shí)V5截止，而c點(diǎn)為高電平，所以正常工作時(shí)。輸入到光耦6N137的信號(hào)始終和輸出保持一致。當(dāng)發(fā)生過流時(shí)，IGBT集電極退飽和，A點(diǎn)電位升高，當(dāng)高于B電位(即是所設(shè)置的電位)時(shí)，即是當(dāng)電流超過設(shè)計(jì)定值時(shí)，A1翻轉(zhuǎn)而輸出高電平，V5導(dǎo)通，從而將C點(diǎn)的電位箝在低電位狀態(tài)，使與門4081始終輸出低電平，即無(wú)論控制電路送來(lái)是高電平或是低電平，輸人到光耦6N137的信號(hào)始終都是低電平，從而關(guān)斷功率管。從而達(dá)到過流保護(hù)。直到將電路的故障排除后，重新啟動(dòng)電路。
  IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)過程:

  IGBT是電壓型控制器件，為了能使IGBT安全可靠地開通和關(guān)斷.其驅(qū)動(dòng)電路必須滿足以下的條件:
  IGBT的柵電容比VMOSFET大得多，所以要提高其開關(guān)速度，就要有合適的門極正反向偏置電壓和門極串聯(lián)電阻。

  (1)門極電壓

  任何情況下，開通狀態(tài)的柵極驅(qū)動(dòng)電壓都不能超過參數(shù)表給出的限定值(一般為20v)，最佳門極正向偏置電壓為15v土10%。這個(gè)值足夠令I(lǐng)GBT飽和導(dǎo)通;使導(dǎo)通損耗減至最小。雖然門極電壓為零就可使IGBT處于截止?fàn)顟B(tài)，但是為了減小關(guān)斷時(shí)間，提高IGBT的耐壓、dv/dt耐量和抗干擾能力，一般在使IGBT處于阻斷狀態(tài)時(shí).可在門極與源極之間加一個(gè)-5~-15v的反向電壓。

  (2)門極串聯(lián)電阻心

  選擇合適的門極串聯(lián)電阻Rg對(duì)IGBT的驅(qū)動(dòng)相當(dāng)重要，Rg對(duì)開關(guān)損耗的影響見圖2。

 

 
  IGBT的輸入阻抗高壓達(dá)109~1011，靜態(tài)時(shí)不需要直流電流.只需要對(duì)輸入電容進(jìn)行充放電的動(dòng)態(tài)電流。其直流增益可達(dá)108~109，幾乎不消耗功率。為了改善控制脈沖的前后沿陡度和防止振蕩，減少IGBT集電極大的電壓尖脈沖，需在柵極串聯(lián)電阻Rg，當(dāng)Rg增大時(shí)，會(huì)使IGBT的通斷時(shí)間延長(zhǎng)，能耗增加;而減少RF又會(huì)使di/dt增高，可能損壞IGBT。因此應(yīng)根據(jù)IGBT電流容量和電壓額定值及開關(guān)頻率的不同，選擇合適的Rg，一般選心值為幾十歐姆至幾百歐姆。具體選擇Rg時(shí).要參考器件的使用手冊(cè)。

  (3)驅(qū)動(dòng)功率的要求

  IGBT的開關(guān)過程要消耗一定的來(lái)自驅(qū)動(dòng)電源的功耗，門極正反向偏置電壓之差為△Vge，工作頻率為f，柵極電容為Cge，則
  電源的最少峰值電流為:

 

  驅(qū)動(dòng)電源的平均功率為:

 

  (4)驅(qū)動(dòng)電路須具有保護(hù)功能

  IGBT的過流保護(hù)就是當(dāng)上、下橋臂直通時(shí)，電源電壓幾乎全加在了開關(guān)管兩端，此時(shí)將產(chǎn)生很大的短路電流，IGBT飽和壓降越小，其電流就會(huì)越大，從而損壞器件。當(dāng)器件發(fā)生過流時(shí)，將短路電流及其關(guān)斷時(shí)的I—V運(yùn)行軌跡限制在IGBT的短路安全工作區(qū)，用在損壞器件之前，將IGBT關(guān)斷來(lái)避免開關(guān)管的損壞。

  IGBT驅(qū)動(dòng)電路仿真實(shí)驗(yàn):

  本IGBT驅(qū)動(dòng)電路在orCAD軟件的仿真圖形如下:

  向驅(qū)動(dòng)電路輸入，高電平為+15v，低電平為-5v的方波信號(hào)。IGBT的輸出波形如圖3所示:

 

圖3:IGBT輸出信號(hào)波形圖

  根據(jù)前面的原理和分析，該電路的實(shí)際電路輸出波形如圖4所示: